전기 가열 고전압 건조 평행 커패시터

전자성 고전압 건조 유형 션트 커패시터는 고급 재료 및 기술을 사용하여 제조됩니다. 이는 크로우 파티컨 값과 낮은 손실 특성을 가지므로 반응성 전류를 효과적으로 줄이고 전력 시스템의 전력 계수를 크게 향상시켜 라인 손실을 줄이고 에너지 절약 및 배출 감소 목표를 달성 할 수 있습니다. 병렬 보상 시스템에 대해 구체적으로 최적화 된 전력 그리드의 변화에 신속하게 응답하고, 자동으로 반응 전력 출력을 조정하고, 그리드 전압의 균형을 잡고, 전압 변동을 줄이고, 전원 공급 장치 품질을 향상시키고, 전기 장비를 손상으로부터 보호 할 수 있습니다. 내장 특수 설계는 전력망의 고조파 전류를 효과적으로 억제하고 전력 장비 및 전력망 자체에 대한 고조파의 피해를 줄이고 장비의 서비스 수명을 확장하며 전력망의 안전하고 안정적인 작동을 보장 할 수 있습니다. 소형 외관 디자인은 공간이 거의 없으며 변전소, 공장 유통 실 및 기타 장소에 유연하게 설치하기 쉽습니다. 동시에, 우리는 포괄적 인 설치 지침 및 애프터 판매 서비스를 제공하여 사용자가 걱정없이 사용되도록합니다. 전기성 고전압 건식 유형 평행 커패시터는 전력, 야금, 석유 화학, 섬유, 운송 및 기타 산업의 전력 시스템에 널리 사용됩니다. 전력망 효율성을 향상시키고 전력 품질 최적화 및 생산 안전 보장을위한 중요한 장비입니다.

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사양

EndNote 코드

W : 실외 사용 (실내 사용을 나타내는 엔드 노트 코드 없음);
H : 수평 저장;
G : 높은 고도 사용.

액체 매체

F : 디 페닐 에틸 란;
A : Dibenzytoluene.

단단한 매체
M : 전체 커버 필름, 폴리 프로필렌 필름

설명하다

유형	등급 UN (V)	QN (Kvar)	FN (HZ)	(a)에서	CN (UF)
BFM11탕 V3 -100-1W	11√3	100	50	7.892	15.75
BFM122 RACK -100-1W	12√3	1 00	50	6.631	14.43
BFM 11-150-1W	11	150	50	3.946	13.64
BFM 12-150-1W	12	150	50	3.316	12.5
BFM11탕 3-167-1W	11√3	167	50	13.18	26.3
BFM122 RACK -167-1W	12√3	167	50	11.07	23.82
BFM 11-200-1W	11	200	50	5.261	18.18
BFM 12-200-1W	12	200	50	4.421	16.67
bfm6.6√v3-250-1w	6.6√3	250	50	54.81	65.61
BFM7 2√V3-250-1W	7.2√3	250	50	46.05	60.14
BFM 11-250-1W	11	250	50	6.577	22.73
BFM 12-250-1W	12	250	50	5.526	20.83
BFM11탕 V3-300-1W	11√3	300	50	23.68	47.24
BFM122 RACK	12√3	300	50	19.89	43.3
BFM 11-500-1W	11	100	50	7.892	5.249
BFM 12-100-3W	12	100	50	6.631	4.811
BFM 6.6-200-3W	6.6	200	50	43.84	17.5
BFM 7.2-200-3W	7.2	200	50	36.84	16.04
BAM 7.2-200-3W	7.2	300	50	55.26	24.74
BAM 11-300-3W	11	300	50	23.68	15.74
BAM 12-300-3W	12	300	50	19.89	14.43